Σχεδίαση Μικτών VLSI Κυκλωμάτων
Ενότητες
Χαρακτηριστικές I/V του MOS. Η τάση κατωφλίου. Το φαινόμενο Σώματος. Διαμόρφωση του Μήκους του Καναλιού. Υποκατωφλική Αγωγιμότητα. Το μοντέλο μικρού σήματος του MOS. Οι παράμετροι του βασικού μοντέλου των διατάξεων MOS.
Λέξεις Κλειδιά: MOSFET. Τάση κατωφλίου. Εσωτερική χωρητικότητα. Διαγωγιμότητα. Αντίσταση εξόδου.
Παρουσιάσεις | ||
| Ενότητα 2: Βασικά μοντέλα των διατάξεων MOS (PDF) | ||
| Ενότητα 2: Βασικά μοντέλα των διατάξεων MOS (PPT) | ||
Βιντεοδιαλέξεις | ||
| Ενότητα 2: Βασικά μοντέλα των διατάξεων MOS - Διάλεξη 1 Σύντομη Περιγραφή: Εισαγωγή στην αναλογική σχεδίαση - Φυσική των βασικών διατάξεων του MOS - Χαρακτηρηστικές του MOS Διάρκεια: 1 ώρα |
||
| Ενότητα 2: Βασικά μοντέλα των διατάξεων MOS - Διάλεξη 2 Σύντομη Περιγραφή: Χαρακτηρηστικές του MOS - Παραγωγή χαρακτηρηστικών - Παράμετροι του βασικού μοντέλου των διατάξεων MOS Διάρκεια: 1 ώρα |
||
| Ενότητα 2: Βασικά μοντέλα των διατάξεων MOS - Διάλεξη 3 Σύντομη Περιγραφή: Φαινόμενα δευτέρας τάξεως - Μοντέλα των διατάξεων MOS - Το μοντέλο μικρού σήματος του MOS - Διάρκεια: 1 ώρα |
||
| Ενότητα 2: Βασικά μοντέλα των διατάξεων MOS - Διάλεξη 4 Σύντομη Περιγραφή: Μοντέλα των διατάξεων MOS - Το μοντέλο μικρού σήματος του MOS - Παράμετροι του βασικού μοντέλου των διατάξεων MOS Διάρκεια: 1 ώρα |
||
