Σχεδίαση CMOS Ψηφιακών Κυκλωμάτων

Ενότητες

Ενότητα 1: Υλοποίηση Ολοκληρωμ... Ενότητα 3: Το τρανζίστορ
Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS

Κάτοψη ΤρανζίστορΥλικά. Προσμίξεις. Φωτολιθογραφία. Υλοποίηση n-MOS Τρανζίστορ. Self-Alignment. Διασυνδέσεις. Κανόνες φυσικής σχεδίασης. Stick-Diagrams. Υπολογισμός Αντίστασης. Υπολογισμός χωρητικότητας.

Λέξεις Κλειδιά: CMOS, πυρίτιο, δότες, αποδέκτες, οξείδωση, διάχυση, φωτοαντιστατικά, μονωτής, well, self-alignment, layout, stick-diagram, αντίσταση, χωρητικότητα. 

Παρουσιάσεις

Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS (PDF)
Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS (PPT)

 

Βιντεοδιαλέξεις

Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS - Διάλεξη 1 (Μέρος Α)

Σύντομη περιγραφή: Πυρίτιο, κατηγορίες προσμίξεων, Wafers, Δημιουργία σχημάτων (Pattering), Φωτοαντιστατικά, Γραφή με φως, Υλοποίηση n-MOS τρανζίστορ,

Διάρκεια: 30 λεπτά
Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS - Διάλεξη 1 (Μέρος Β)

Σύντομη περιγραφή: Υλοποίηση n-mos τρανζίστορ, Κάτοψη τρανζίστορ, Παραλλαγές, Συνδέσεις, Επικαλύψεις, Layout Rules, Σχεδίαση με λ ή μm, stick diagrams

Διάρκεια: 1 ώρα
Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS - Διάλεξη 2 (Μέρος Α)

Σύντομη περιγραφή: Υλοποίηση n-mos τρανζίστορ, Υλοποίηση αναστροφέα CMOS, n-MOS δικτύωμα NOR πύλης

Διάρκεια: 1 ώρα
Ενότητα 2: Τεχνολογία CMOS - Διάλεξη 2 (Μέρος Β)

Σύντομη περιγραφή: n-MOS δικτύωμα NOR πύλης, Πύλη NOR, Euler path,  AOI πύλες, ΟΑΙ πύλες, Ονοματολογία, Υπολογισμός αντίστασης, Παραδείγματα

Διάρκεια: 1 ώρα